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FGA15S125P AMI Semiconductor / ON Semiconductor La description:IGBT 1250V 30A 136W TO3PN
FGH60T65SHD-F155 AMI Semiconductor / ON Semiconductor La description:IGBT 650V 120A 349W TO-247
FGA40T65UQDF AMI Semiconductor / ON Semiconductor La description:IGBT 650V 80A 231W TO3PN
FGB3245G2-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor La description:ECOSPARK2 450V IGNITION IGBT

International Rectifier (Infineon Technologies): Le 1er avril 1999, Siemens Semiconductors est devenu Infineon Technologies. Une entreprise dynamique, plus flexible et orientée vers le succès dans le monde concurrentiel en constante évolution de la microélectronique. Infineon est l'un des principaux concepteurs, fabricants et fournisseurs mond...Détails

IRGP4660DPBF International Rectifier (Infineon Technologies) La description:IGBT 600V 100A 330W TO247AC
IKW50N60TFKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) La description:IGBT 600V 80A 333W TO247-3
IRGP4069D-EPBF International Rectifier (Infineon Technologies) La description:IGBT 600V 76A 268W TO247AD
IKY75N120CS6XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) La description:IGBT 1200V 75A TO247PLUS

IXYS Corporation: - IXYS Corporation propose une large gamme de semi-conducteurs de haute puissance, comprenant des MOSFET de puissance à résistance de coupure faible, des IGBT à commutation ultra rapide, des diodes de récupération rapide (FRED), des modules de SCR et de diodes, des ponts de redresseur et des ci...Détails

IXYH60N90C3 IXYS Corporation La description:IGBT 900V 140A 750W C3 TO-247
IXXH80N65B4 IXYS Corporation La description:IGBT 650V 160A 625W TO247AD
IXBT20N300HV IXYS Corporation La description:IGBT 3000V 50A 250W TO268
IXYH30N170C IXYS Corporation La description:1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB

Microsemi: - Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC) propose un portefeuille complet de solutions de semi-conducteurs et de systèmes destinés aux marchés de l'aérospatiale et de la défense, des communications, des centres de données et de l'industrie. Les produits comprennent des circuits intégrés à sign...Détails

APT35GN120L2DQ2G Microsemi La description:IGBT 1200V 94A 379W TO264
APT50GN120B2G Microsemi La description:IGBT 1200V 134A 543W TO-247
APT30GT60BRDQ2G Microsemi La description:IGBT 600V 64A 250W TO247
APT80GA90B Microsemi La description:IGBT 900V 145A 625W TO247

STMicroelectronics: - STMicroelectronics est une société mondiale indépendante de semi-conducteurs et un des leaders dans le développement et la fourniture de solutions de semi-conducteurs à l’échelle du spectre des applications de la microélectronique. Une combinaison inégalée de silicium et d’expertise sys...Détails

STGP15M65DF2 STMicroelectronics La description:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
STGWT38IH130D STMicroelectronics La description:IGBT 1300V 63A 250W TO3P
STGF20H60DF STMicroelectronics La description:IGBT 600V 40A 37W TO220FP
STGFL6NC60D STMicroelectronics La description:IGBT 600V 7A 22W TO220FP

Renesas Electronics America: - Renesas Electronics America conçoit et fabrique des solutions de systèmes à semi-conducteurs hautement intégrés pour les marchés de l’automobile, des mobiles et des PC / AV. Créée le 1er avril 2003 en tant que coentreprise entre Hitachi, Ltd. et Mitsubishi Electric Corporation et basée ...Détails

RJP6085DPN-00#T2 Renesas Electronics America La description:IGBT 600V 40A 178.5W TO-220AB
RJP60D0DPP-M0#T2 Renesas Electronics America La description:IGBT 600V 45A 35W TO-220FL
RJH60V2BDPP-M0#T2 Renesas Electronics America La description:IGBT 600V 25A 34W TO-220FL
RJH1CV7DPK-00#T0 Renesas Electronics America La description:IGBT 1200V 70A 320W TO-3P

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