2N5886G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2N5886G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN 80V 25A TO3
Livret des spécifications:	2N5886G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	25229 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 25229 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.373

10 pcs: $1.232

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500 pcs: $0.859

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Spécifications de 2N5886G

Modèle de produit	2N5886G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN 80V 25A TO3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	25229 pcs	Fiche technique	2N5886G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	80V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	4V @ 6.25A, 25A
Transistor Type	NPN	Package composant fournisseur	TO-204 (TO-3)
Séries	-	Puissance - Max	200W
Emballage	Tray	Package / Boîte	TO-204AA, TO-3
Autres noms	2N5886GOS	Température de fonctionnement	-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	4MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 25A 4MHz 200W Through Hole TO-204 (TO-3)	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 10A, 4V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	2mA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	25A
Numéro de pièce de base	2N5886

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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