HGTG40N60B3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	HGTG40N60B3
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 600V 70A 290W TO247
Livret des spécifications:	HGTG40N60B3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	8242 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 8242 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $4.299

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Spécifications de HGTG40N60B3

Modèle de produit	HGTG40N60B3	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 600V 70A 290W TO247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	8242 pcs	Fiche technique	HGTG40N60B3.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	600V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 40A
Condition de test	480V, 40A, 3 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	47ns/170ns
énergie de commutation	1.05mJ (on), 800µJ (off)	Package composant fournisseur	TO-247
Séries	-	Puissance - Max	290W
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-247-3
Autres noms	HGTG40N60B3-ND HGTG40N60B3FS	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type d'entrée	Standard
type de IGBT	-	gate charge	250nC
Description détaillée	IGBT 600V 70A 290W Through Hole TO-247	Courant - Collecteur pulsée (Icm)	330A
Courant - Collecteur (Ic) (max)	70A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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