MJ11033G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MJ11033G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS PNP DARL 120V 50A TO3
Livret des spécifications:	MJ11033G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	10144 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 10144 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $3.614

10 pcs: $3.264

100 pcs: $2.702

500 pcs: $2.353

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Spécifications de MJ11033G

Modèle de produit	MJ11033G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS PNP DARL 120V 50A TO3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	10144 pcs	Fiche technique	MJ11033G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	120V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	3.5V @ 500mA, 50A
Transistor Type	PNP - Darlington	Package composant fournisseur	TO-3
Séries	-	Puissance - Max	300W
Emballage	Tray	Package / Boîte	TO-204AE
Autres noms	MJ11033GOS	Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	-
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 50A 300W Through Hole TO-3	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 25A, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	2mA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	50A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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