MJE182G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MJE182G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN 80V 3A TO225AA
Livret des spécifications:	MJE182G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	187535 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 187535 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.19

10 pcs: $0.163

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500 pcs: $0.096

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Spécifications de MJE182G

Modèle de produit	MJE182G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN 80V 3A TO225AA	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	187535 pcs	Fiche technique	MJE182G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	80V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.7V @ 600mA, 3A
Transistor Type	NPN	Package composant fournisseur	TO-225AA
Séries	-	Puissance - Max	1.5W
Emballage	Bulk	Package / Boîte	TO-225AA, TO-126-3
Autres noms	MJE182GOS	Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	50MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 3A 50MHz 1.5W Through Hole TO-225AA	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 100mA, 1V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Courant - Collecteur (Ic) (max)	3A
Numéro de pièce de base	MJE182

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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