SIHH14N65EF-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SIHH14N65EF-T1-GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK
Livret des spécifications:	SIHH14N65EF-T1-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	14406 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 14406 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $2.265

10 pcs: $2.024

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500 pcs: $1.344

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Spécifications de SIHH14N65EF-T1-GE3

Modèle de produit	SIHH14N65EF-T1-GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	14406 pcs	Fiche technique	SIHH14N65EF-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	PowerPAK® 8 x 8
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	271 mOhm @ 7A, 10V
Dissipation de puissance (max)	156W (Tc)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	8-PowerTDFN	Autres noms	SIHH14N65EF-T1-GE3DKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1749pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	98nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	650V
Description détaillée	N-Channel 650V 15A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	15A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

FEDEX	www.FedEx.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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