IXTT110N10L2

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXTT110N10L2
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
Livret des spécifications:	IXTT110N10L2.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6062 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6062 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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30 pcs: $4.894

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Spécifications de IXTT110N10L2

Modèle de produit	IXTT110N10L2	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOSFET N-CH 100V 110A TO-268	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6062 pcs	Fiche technique	IXTT110N10L2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-268
Séries	Linear L2™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 55A, 10V
Dissipation de puissance (max)	600W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	10500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	260nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	N-Channel 100V 110A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount TO-268
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	110A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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