1N484B

Microsemi Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	1N484B
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Livret des spécifications:	1N484B.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	25259 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 25259 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

241 pcs: $1.498

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Spécifications de 1N484B

Modèle de produit	1N484B	Fabricant	Microsemi Corporation
La description	DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	25259 pcs	Fiche technique	1N484B.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	200mA
Tension - Ventilation	DO-35	Séries	-
État RoHS	Bulk	Temps de recouvrement inverse (trr)	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	DO-204AH, DO-35, Axial
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Référence fabricant	1N484B	Description élargie	Diode Standard 125V 200mA Through Hole DO-35
Configuration diode	25nA @ 125V	La description	DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Courant - fuite, inverse à Vr	1V @ 100mA	Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	125V
Capacité à Vr, F	-65°C ~ 200°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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