1N5554US

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	1N5554US
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
Livret des spécifications:	1N5554US.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	7782 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7782 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $4.464

10 pcs: $4.057

100 pcs: $3.448

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Spécifications de 1N5554US

Modèle de produit	1N5554US	Fabricant	Microsemi
La description	DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	7782 pcs	Fiche technique	1N5554US.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.2V @ 9A	Tension - inverse (Vr) (max)	1000V
Package composant fournisseur	B, SQ-MELF	La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	2µs
Emballage	Bulk	Package / Boîte	SQ-MELF, B
Température d'utilisation - Jonction	-65°C ~ 175°C	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode	Standard	Description détaillée	Diode Standard 1000V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
Courant - fuite, inverse à Vr	1µA @ 1000V	Courant - Rectifié moyenne (Io)	3A
Capacité à Vr, F	-

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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