TSM60NB150CF C0G

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TSM60NB150CF C0G
Fabricant / marque:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 24A ITO220S
Livret des spécifications:	TSM60NB150CF C0G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	29398 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 29398 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.205

10 pcs: $1.076

100 pcs: $0.882

500 pcs: $0.714

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Spécifications de TSM60NB150CF C0G

Modèle de produit	TSM60NB150CF C0G	Fabricant	TSC (Taiwan Semiconductor)
La description	MOSFET N-CH 600V 24A ITO220S	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	29398 pcs	Fiche technique	TSM60NB150CF C0G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	ITO-220S
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 4.3A, 10V
Dissipation de puissance (max)	62.5W (Tc)	Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack
Autres noms	TSM60NB150CF C0G-ND TSM60NB150CFC0G	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1765pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	43nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	600V	Description détaillée	N-Channel 600V 24A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole ITO-220S
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	24A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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