2SK879-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2SK879-GR(TE85L,F)
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	JFET N-CH 0.1W USM
Livret des spécifications:	2SK879-GR(TE85L,F).pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	165631 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 165631 pcs

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Spécifications de 2SK879-GR(TE85L,F)

Modèle de produit	2SK879-GR(TE85L,F)	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	JFET N-CH 0.1W USM	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	165631 pcs	Fiche technique	2SK879-GR(TE85L,F).pdf
Tension - Cutoff (VGS off) @ Id	400mV @ 100nA	Package composant fournisseur	USM
Séries	-	Puissance - Max	100mW
Emballage	Cut Tape (CT)	Package / Boîte	SC-70, SOT-323
Autres noms	2SK879-GR(TE85LF)CT	Température de fonctionnement	125°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8.2pF @ 10V
type de FET	N-Channel	Description détaillée	JFET N-Channel 100mW Surface Mount USM
Courant - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0)	2.6mA @ 10V

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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