Modèle de produit | RN1405,LF | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
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La description | TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Quantité disponible | 370475 pcs | Fiche technique | RN1405,LF.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased | Package composant fournisseur | S-Mini |
Séries | - | Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms | Puissance - Max | 200mW |
Emballage | Cut Tape (CT) | Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Autres noms | RN1405,LFCT RN1405LFCT RN1405SLFCT RN1405SLFCT-ND |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 250MHz | Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA | Numéro de pièce de base | RN140* |
FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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