FDMC86261P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDMC86261P
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CH 150V 2.7A 8MLP
Livret des spécifications:	FDMC86261P.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	43768 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 43768 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.709

10 pcs: $0.641

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500 pcs: $0.40

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Spécifications de FDMC86261P

Modèle de produit	FDMC86261P	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET P-CH 150V 2.7A 8MLP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	43768 pcs	Fiche technique	FDMC86261P.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-MLP (3.3x3.3)
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 2.4A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.3W (Ta), 40W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	8-PowerWDFN	Autres noms	FDMC86261PCT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1360pF @ 75V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	150V
Description détaillée	P-Channel 150V 2.7A (Ta), 9A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2.7A (Ta), 9A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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