AOB15S65L

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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Présentation du produit

Modèle de produit:	AOB15S65L
Fabricant / marque:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Description du produit	MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Livret des spécifications:	1.AOB15S65L.pdf 2.AOB15S65L.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	48607 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 48607 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

800 pcs: $0.591

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Spécifications de AOB15S65L

Modèle de produit	AOB15S65L	Fabricant	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description	MOSFET N-CH 650V 15A TO263	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	48607 pcs	Fiche technique	1.AOB15S65L.pdf 2.AOB15S65L.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-263 (D²Pak)
Séries	aMOS™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 7.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	208W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Autres noms	785-1543-2 AOB15S65L-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	841pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	17.2nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	650V
Description détaillée	N-Channel 650V 15A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	15A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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