SI5997DU-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SI5997DU-T1-GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Livret des spécifications:	SI5997DU-T1-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	130209 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 130209 pcs

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Spécifications de SI5997DU-T1-GE3

Modèle de produit	SI5997DU-T1-GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	130209 pcs	Fiche technique	SI5997DU-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA	Package composant fournisseur	PowerPAK® ChipFet Dual
Séries	TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	54 mOhm @ 3A, 10V
Puissance - Max	10.4W	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	PowerPAK® ChipFET™ Dual	Autres noms	SI5997DU-T1-GE3CT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	430pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	14.5nC @ 10V
type de FET	2 P-Channel (Dual)	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	6A

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Après vente
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