SI8235BD-D-IS3

Energy Micro (Silicon Labs)

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SI8235BD-D-IS3
Fabricant / marque:	Energy Micro (Silicon Labs)
Description du produit	DUAL ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM
Livret des spécifications:	SI8235BD-D-IS3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	31820 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spécifications de SI8235BD-D-IS3

Modèle de produit	SI8235BD-D-IS3	Fabricant	Energy Micro (Silicon Labs)
La description	DUAL ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	31820 pcs	Fiche technique	SI8235BD-D-IS3.pdf
Tension - Alimentation	6.5 V ~ 24 V	Tension - Isolement	5000Vrms
Tension - Forward (Vf) (Typ)	-	La technologie	Capacitive Coupling
Package composant fournisseur	14-SOIC	Séries	Automotive, AEC-Q100
Rise / Fall Time (Typ)	12ns, 12ns	Distorsion de largeur d'impulsion (Max)	5.6ns
Délai de propagation tpLH / tpHL (Max)	60ns, 60ns	Emballage	Tube
Package / Boîte	14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	Autres noms	336-4261
Température de fonctionnement	-40°C ~ 125°C	Nombre de canaux	2
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	2A (4 Weeks)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Description détaillée	4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 2 Channel 14-SOIC
Courant - Sortie crête	4A	Courant - Sortie Haut, Bas	2A, 4A
Immunité transitoire au mode commun (min.)	45kV/µs	Agréments	CQC, CSA, UR, VDE

Mode de transport
Après vente
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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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