IXTP08N100D2

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXTP08N100D2
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB
Livret des spécifications:	IXTP08N100D2.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	54042 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 54042 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.678

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500 pcs: $0.382

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Spécifications de IXTP08N100D2

Modèle de produit	IXTP08N100D2	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	54042 pcs	Fiche technique	IXTP08N100D2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220AB
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 Ohm @ 400mA, 0V
Dissipation de puissance (max)	60W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	325pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	14.6nC @ 5V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	Depletion Mode	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	-
Tension drain-source (Vdss)	1000V	Description détaillée	N-Channel 1000V 800mA (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	800mA (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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