Modèle de produit | SPB12N50C3ATMA1 | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
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La description | MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Quantité disponible | 3837 pcs | Fiche technique | SPB12N50C3ATMA1.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 500µA | Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PG-TO263-3-2 |
Séries | CoolMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 7A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 125W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Autres noms | SP000014894 SPB12N50C3 SPB12N50C3-ND SPB12N50C3ATMA1TR SPB12N50C3INTR SPB12N50C3INTR-ND SPB12N50C3XT |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 560V |
Description détaillée | N-Channel 560V 11.6A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11.6A (Tc) |
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