JANTXV1N6631US

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	JANTXV1N6631US
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
Livret des spécifications:
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	2994 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2994 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

100 pcs: $10.316

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Spécifications de JANTXV1N6631US

Modèle de produit	JANTXV1N6631US	Fabricant	Microsemi
La description	DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	2994 pcs	Fiche technique
Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.6V @ 1.4A	Tension - inverse (Vr) (max)	1100V
Package composant fournisseur	D-5B	La vitesse	Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries	Military, MIL-PRF-19500/590	Temps de recouvrement inverse (trr)	60ns
Emballage	Bulk	Package / Boîte	E-MELF
Autres noms	1086-20003 1086-20003-MIL	Température d'utilisation - Jonction	-65°C ~ 150°C
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Type de diode	Standard
Description détaillée	Diode Standard 1100V 1.4A Surface Mount D-5B	Courant - fuite, inverse à Vr	4µA @ 1100V
Courant - Rectifié moyenne (Io)	1.4A	Capacité à Vr, F	40pF @ 10V, 1MHz

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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