HN1B01FU-Y(L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	HN1B01FU-Y(L,F,T)
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Livret des spécifications:	HN1B01FU-Y(L,F,T).pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	233945 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 233945 pcs

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Spécifications de HN1B01FU-Y(L,F,T)

Modèle de produit	HN1B01FU-Y(L,F,T)	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	233945 pcs	Fiche technique	HN1B01FU-Y(L,F,T).pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA
Transistor Type	NPN, PNP	Package composant fournisseur	US6
Séries	-	Puissance - Max	200mW
Emballage	Cut Tape (CT)	Package / Boîte	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms	HN1B01FU-Y(LFT)CT	Température de fonctionnement	125°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	120MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 200mW Surface Mount US6	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 2mA, 6V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Courant - Collecteur (Ic) (max)	150mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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