HN3C10FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	HN3C10FUTE85LF
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	TRANSISTOR NPN US6
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	170500 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 170500 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.225

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Spécifications de HN3C10FUTE85LF

Modèle de produit	HN3C10FUTE85LF	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	TRANSISTOR NPN US6	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	170500 pcs	Fiche technique
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	12V	Transistor Type	2 NPN (Dual)
Package composant fournisseur	US6	Séries	-
Puissance - Max	200mW	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Autres noms	HN3C10FUTE85LFCT
Température de fonctionnement	-	Noise Figure (dB Typ @ f)	1.1dB @ 1GHz
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Gain	11.5dB
Fréquence - Transition	7GHz	Description détaillée	RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 20mA, 10V	Courant - Collecteur (Ic) (max)	80mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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