SSM3J114TU(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SSM3J114TU(TE85L)
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Livret des spécifications:	1.SSM3J114TU(TE85L).pdf 2.SSM3J114TU(TE85L).pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	145511 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 145511 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.228

10 pcs: $0.18

100 pcs: $0.124

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Spécifications de SSM3J114TU(TE85L)

Modèle de produit	SSM3J114TU(TE85L)	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	145511 pcs	Fiche technique	1.SSM3J114TU(TE85L).pdf 2.SSM3J114TU(TE85L).pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	UFM
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	149 mOhm @ 600mA, 4V
Dissipation de puissance (max)	500mW (Ta)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	3-SMD, Flat Leads	Autres noms	SSM3J114TU(TE85L)CT
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	331pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 4V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.5V, 4V	Tension drain-source (Vdss)	20V
Description détaillée	P-Channel 20V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.8A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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