TK17A80W,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TK17A80W,S4X
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Livret des spécifications:	TK17A80W,S4X.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	26132 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 26132 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.426

10 pcs: $1.272

50 pcs: $1.145

100 pcs: $1.043

250 pcs: $0.941

500 pcs: $0.845

1000 pcs: $0.712

2500 pcs: $0.677

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Spécifications de TK17A80W,S4X

Modèle de produit	TK17A80W,S4X	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	26132 pcs	Fiche technique	TK17A80W,S4X.pdf
Tension - Test	2050pF @ 300V	Tension - Ventilation	TO-220SIS
Vgs (th) (Max) @ Id	290 mOhm @ 8.5A, 10V	Vgs (Max)	10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Séries	DTMOSIV
État RoHS	Tube	Rds On (Max) @ Id, Vgs	17A (Ta)
Polarisation	TO-220-3 Full Pack	Autres noms	TK17A80W,S4X(S TK17A80WS4X
Température de fonctionnement	150°C	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	TK17A80W,S4X
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	32nC @ 10V	type de IGBT	±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 850µA	Fonction FET	N-Channel
Description élargie	N-Channel 800V 17A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS	Tension drain-source (Vdss)	-
La description	MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	800V
Ratio de capacité	45W (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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