Modèle de produit | VS-1N1184R | Fabricant | Vishay Semiconductor Diodes Division |
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La description | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Quantité disponible | 18765 pcs | Fiche technique | VS-1N1184R.pdf |
Tension - Inverse de crête (max) | Standard | Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 35A |
Tension - Ventilation | DO-203AB | Séries | - |
État RoHS | Bulk | Temps de recouvrement inverse (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Résistance @ Si, F | - | Polarisation | DO-203AB, DO-5, Stud |
Autres noms | *1N1184R 1N1184R VS-1N1184R-ND VS1N1184R VS1N1184R-ND |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Référence fabricant | VS-1N1184R |
Description élargie | Diode Standard 100V 35A Chassis, Stud Mount DO-203AB | Configuration diode | 10mA @ 100V |
La description | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Courant - fuite, inverse à Vr | 1.7V @ 110A |
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 100V | Capacité à Vr, F | -65°C ~ 190°C |
FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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