2SC5706-E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2SC5706-E
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN 50V 5A TP
Livret des spécifications:	2SC5706-E.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	132758 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 132758 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.27

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Spécifications de 2SC5706-E

Modèle de produit	2SC5706-E	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN 50V 5A TP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	132758 pcs	Fiche technique	2SC5706-E.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	240mV @ 100mA, 2A
Transistor Type	NPN	Package composant fournisseur	TP
Séries	-	Puissance - Max	800mW
Emballage	Bulk	Package / Boîte	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms	2SC5706-E-ND 2SC5706-EOS	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	400MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 5A 400MHz 800mW Through Hole TP	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 500mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	1µA (ICBO)	Courant - Collecteur (Ic) (max)	5A
Numéro de pièce de base	2SC5706

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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