Modèle de produit | DTA114YET1G | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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La description | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Quantité disponible | 3553883 pcs | Fiche technique | DTA114YET1G.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased | Package composant fournisseur | SC-75, SOT-416 |
Séries | - | Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms | Puissance - Max | 200mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | SC-75, SOT-416 |
Autres noms | DTA114YET1GOS DTA114YET1GOS-ND DTA114YET1GOSTR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416 | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
Numéro de pièce de base | DTA114 |
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