FCP380N60E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FCP380N60E
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 600V TO220-3
Livret des spécifications:	1.FCP380N60E.pdf 2.FCP380N60E.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	35568 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 35568 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.913

10 pcs: $0.826

100 pcs: $0.663

800 pcs: $0.466

1600 pcs: $0.428

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Spécifications de FCP380N60E

Modèle de produit	FCP380N60E	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 600V TO220-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	35568 pcs	Fiche technique	1.FCP380N60E.pdf 2.FCP380N60E.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220-3
Séries	SuperFET® II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	106W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1770pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	600V	Description détaillée	N-Channel 600V 10.2A (Tc) 106W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	10.2A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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