Modèle de produit | FDA20N50-F109 | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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La description | MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Quantité disponible | 17459 pcs | Fiche technique | FDA20N50-F109.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-3PN |
Séries | UniFET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 11A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 280W (Tc) | Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-3P-3, SC-65-3 | Autres noms | FDA20N50 FDA20N50-ND FDA20N50_F109 FDA20N50_F109-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3120pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 59.5nC @ 10V |
type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 500V |
Description détaillée | N-Channel 500V 22A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-3PN | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 22A (Tc) |
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