FQA11N90-F109

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FQA11N90-F109
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
Livret des spécifications:	FQA11N90-F109.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	21389 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 21389 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.419

10 pcs: $1.266

450 pcs: $0.937

900 pcs: $0.759

1350 pcs: $0.709

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Spécifications de FQA11N90-F109

Modèle de produit	FQA11N90-F109	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	21389 pcs	Fiche technique	FQA11N90-F109.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-3PN
Séries	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	960 mOhm @ 5.7A, 10V
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-3P-3, SC-65-3	Autres noms	FQA11N90_F109 FQA11N90_F109-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	94nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	900V
Description détaillée	N-Channel 900V 11.4A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3PN	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	11.4A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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