FQP17P10

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FQP17P10
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220
Livret des spécifications:	1.FQP17P10.pdf 2.FQP17P10.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	73896 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 73896 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.46

10 pcs: $0.408

100 pcs: $0.322

500 pcs: $0.25

1000 pcs: $0.197

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Spécifications de FQP17P10

Modèle de produit	FQP17P10	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	73896 pcs	Fiche technique	1.FQP17P10.pdf 2.FQP17P10.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220-3
Séries	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 8.25A, 10V
Dissipation de puissance (max)	100W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V	type de FET	P-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	P-Channel 100V 16.5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	16.5A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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