Modèle de produit | MMUN2232LT1G | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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La description | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Quantité disponible | 4388105 pcs | Fiche technique | MMUN2232LT1G.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased | Package composant fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Séries | - | Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms | Puissance - Max | 246mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Autres noms | MMUN2232LT1GOS MMUN2232LT1GOS-ND MMUN2232LT1GOSTR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
Numéro de pièce de base | MMUN22**L |
FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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