NGTB40N65IHRWG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NGTB40N65IHRWG
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247
Livret des spécifications:	NGTB40N65IHRWG.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	28292 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 28292 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.078

30 pcs: $0.913

120 pcs: $0.778

510 pcs: $0.639

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Spécifications de NGTB40N65IHRWG

Modèle de produit	NGTB40N65IHRWG	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	28292 pcs	Fiche technique	NGTB40N65IHRWG.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	650V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	1.7V @ 15V, 40A
Condition de test	400V, 40A, 10 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	-
énergie de commutation	420µJ (off)	Package composant fournisseur	TO-247
Séries	-	Puissance - Max	405W
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-247-3
Autres noms	NGTB40N65IHRWG-ND NGTB40N65IHRWGOS	Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type d'entrée	Standard
type de IGBT	Field Stop	gate charge	190nC
Description détaillée	IGBT Field Stop 650V 80A 405W Through Hole TO-247	Courant - Collecteur pulsée (Icm)	160A
Courant - Collecteur (Ic) (max)	80A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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