DDTB114TC-7-F

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DDTB114TC-7-F
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Livret des spécifications:	DDTB114TC-7-F.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	1893033 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1893033 pcs

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Spécifications de DDTB114TC-7-F

Modèle de produit	DDTB114TC-7-F	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	1893033 pcs	Fiche technique	DDTB114TC-7-F.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type	PNP - Pre-Biased	Package composant fournisseur	SOT-23-3
Séries	-	Résistance - Base (R1)	10 kOhms
Puissance - Max	200mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	200MHz	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 5mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)	500mA	Numéro de pièce de base	DTB114

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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