IXYX100N65B3D1

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXYX100N65B3D1
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	IGBT 650V 188A 1150W PLUS247
Livret des spécifications:	IXYX100N65B3D1.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6832 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6832 pcs

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Spécifications de IXYX100N65B3D1

Modèle de produit	IXYX100N65B3D1	Fabricant	IXYS Corporation
La description	IGBT 650V 188A 1150W PLUS247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6832 pcs	Fiche technique	IXYX100N65B3D1.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	650V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	1.85V @ 15V, 70A
Condition de test	400V, 50A, 3 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	29ns/150ns
énergie de commutation	1.27mJ (on), 1.37mJ (off)	Package composant fournisseur	PLUS247™-3
Séries	GenX3™, XPT™	Temps de recouvrement inverse (trr)	156ns
Puissance - Max	830W	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type d'entrée	Standard
type de IGBT	PT	gate charge	168nC
Description détaillée	IGBT PT 650V 225A 830W Through Hole PLUS247™-3	Courant - Collecteur pulsée (Icm)	460A
Courant - Collecteur (Ic) (max)	225A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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