Modèle de produit | BUZ32 H | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
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La description | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Quantité disponible | 53248 pcs | Fiche technique | BUZ32 H.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PG-TO-220-3 |
Séries | SIPMOS® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 6A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 75W (Tc) | Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-220-3 | Autres noms | BUZ32 H-ND BUZ32H BUZ32HXKSA1 SP000682998 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 25V | type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 200V | Description détaillée | N-Channel 200V 9.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 9.5A (Tc) |
FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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