DTD114ECHZGT116

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DTD114ECHZGT116
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3
Livret des spécifications:	1.DTD114ECHZGT116.pdf 2.DTD114ECHZGT116.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	1897032 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1897032 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de DTD114ECHZGT116

Modèle de produit	DTD114ECHZGT116	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	1897032 pcs	Fiche technique	1.DTD114ECHZGT116.pdf 2.DTD114ECHZGT116.pdf
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA	Transistor Type	NPN - Pre-Biased + Diode
Package composant fournisseur	SST3	Séries	Automotive, AEC-Q101
Résistance - Base de l'émetteur (R2)	10 kOhms	Résistance - Base (R1)	10 kOhms
Puissance - Max	200mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Autres noms	DTD114ECHZGT116TR
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	200MHz
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	56 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	-	Courant - Collecteur (Ic) (max)	500mA

Mode de transport
Après vente
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