EMD6FHAT2R

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	EMD6FHAT2R
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Livret des spécifications:	1.EMD6FHAT2R.pdf 2.EMD6FHAT2R.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	1583486 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1583486 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de EMD6FHAT2R

Modèle de produit	EMD6FHAT2R	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	1583486 pcs	Fiche technique	1.EMD6FHAT2R.pdf 2.EMD6FHAT2R.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Package composant fournisseur	EMT6
Séries	Automotive, AEC-Q101	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	-
Résistance - Base (R1)	4.7 kOhms	Puissance - Max	150mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SOT-563, SOT-666
Autres noms	EMD6FHAT2RTR	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	250MHz	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 1mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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