Modèle de produit | RN1102,LF(CT | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
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La description | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Quantité disponible | 2803643 pcs | Fiche technique | RN1102,LF(CT.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased | Package composant fournisseur | SSM |
Séries | - | Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms | Puissance - Max | 100mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | SC-75, SOT-416 |
Autres noms | RN1102,LF(CB RN1102LF(CT RN1102LF(CT-ND RN1102LF(CTTR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 250MHz | Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
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