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NGTB40N65IHRWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor La description:IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247
HGTP20N60A4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor La description:IGBT 600V 70A 290W TO220AB
FGD5T120SH AMI Semiconductor / ON Semiconductor La description:IGBT 1200V 5A FS3 DPAK
FGH60N60UFDTU-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor La description:IGBT 600V 120A 298W TO247

International Rectifier (Infineon Technologies): Le 1er avril 1999, Siemens Semiconductors est devenu Infineon Technologies. Une entreprise dynamique, plus flexible et orientée vers le succès dans le monde concurrentiel en constante évolution de la microélectronique. Infineon est l'un des principaux concepteurs, fabricants et fournisseurs mond...Détails

IGW50N60TPXKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) La description:IGBT 600V 80A TO247-3
IRGIB10B60KD1P International Rectifier (Infineon Technologies) La description:IGBT 600V 16A 44W TO220FP
IGW40N60TPXKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) La description:IGBT 600V 67A TO247-3
IRG4BC20KDPBF International Rectifier (Infineon Technologies) La description:IGBT 600V 16A 60W TO220AB

IXYS Corporation: - IXYS Corporation propose une large gamme de semi-conducteurs de haute puissance, comprenant des MOSFET de puissance à résistance de coupure faible, des IGBT à commutation ultra rapide, des diodes de récupération rapide (FRED), des modules de SCR et de diodes, des ponts de redresseur et des ci...Détails

IXBX50N360HV IXYS Corporation La description:IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS
IXYX120N120C3 IXYS Corporation La description:IGBT 1200V 240A 1500W PLUS247
IXYX40N250CHV IXYS Corporation La description:IGBT 2.5KV 70A TO247HV
IXGH20N120A3 IXYS Corporation La description:IGBT 1200V 40A 180W TO247

STMicroelectronics: - STMicroelectronics est une société mondiale indépendante de semi-conducteurs et un des leaders dans le développement et la fourniture de solutions de semi-conducteurs à l’échelle du spectre des applications de la microélectronique. Une combinaison inégalée de silicium et d’expertise sys...Détails

STGP19NC60H STMicroelectronics La description:IGBT 600V 40A 130W TO220
STGF15H60DF STMicroelectronics La description:IGBT 600V 30A 30W TO220FP
STGB3NB60FDT4 STMicroelectronics La description:IGBT 600V 6A 68W D2PAK
STGW60H65DRF STMicroelectronics La description:IGBT 650V 120A 420W TO247

Microsemi: - Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC) propose un portefeuille complet de solutions de semi-conducteurs et de systèmes destinés aux marchés de l'aérospatiale et de la défense, des communications, des centres de données et de l'industrie. Les produits comprennent des circuits intégrés à sign...Détails

APT65GP60B2G Microsemi La description:IGBT 600V 100A 833W TMAX
APT50GN120L2DQ2G Microsemi La description:IGBT 1200V 134A 543W TO264
APT43GA90BD30 Microsemi La description:IGBT 900V 78A 337W TO247
APT35GA90BD15 Microsemi La description:IGBT 900V 63A 290W TO247

Renesas Electronics America: - Renesas Electronics America conçoit et fabrique des solutions de systèmes à semi-conducteurs hautement intégrés pour les marchés de l’automobile, des mobiles et des PC / AV. Créée le 1er avril 2003 en tant que coentreprise entre Hitachi, Ltd. et Mitsubishi Electric Corporation et basée ...Détails

RJH60F6BDPQ-A0#T0 Renesas Electronics America La description:IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A
RJH60M1DPP-M0#T2 Renesas Electronics America La description:IGBT 600V 16A 30W TO-220FL
RJP60V0DPM-00#T1 Renesas Electronics America La description:IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM
RJH60F6DPK-00#T0 Renesas Electronics America La description:IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P

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