GaN Semiconducteurs

Les semi-conducteurs GaN d'EPC sont au cœur de l'alimentation sans fil à grande surface

EPC's GaN Semiconductors EPC 100 V EPC2107 et 60 V EPC2108 Les circuits intégrés à demi-pont eGaN avec FET d'amorçage intégré éliminent les pertes de récupération en retour induites par le pilote de grille, ainsi que la nécessité d'une pince haute tension. Conçus spécifiquement pour les applications de transfert d'énergie résonnantes sans fil, ces produits permettent la conception rapide de systèmes d'utilisation finale hautement efficaces, ouvrant ainsi la voie à l'adoption massive de circuits d'alimentation sans fil.

Caractéristiques

Fréquence de commutation plus élevée
- Pertes de commutation inférieures, inductance parasite inférieure et puissance de commande inférieure
Conception intégrée
- Efficacité accrue, densité de puissance accrue, coûts de montage réduits
Petite empreinte
- Inductance faible, extrêmement petite, matrice passivée BGA pour montage en surface, 1,35 mm x 1,35 mm

Applications

Puissance sans fil pour 5G
Appareils mobiles
Des robots
L'automatisation industrielle
Equipement médical et automobile