DMP3015LSSQ-13

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DMP3015LSSQ-13
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET P-CH 30V 13A 8-SO
Livret des spécifications:	DMP3015LSSQ-13.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	167317 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 167317 pcs

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Spécifications de DMP3015LSSQ-13

Modèle de produit	DMP3015LSSQ-13	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET P-CH 30V 13A 8-SO	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	167317 pcs	Fiche technique	DMP3015LSSQ-13.pdf
Tension - Test	2748pF @ 20V	Tension - Ventilation	8-SO
Vgs (th) (Max) @ Id	11 mOhm @ 13A, 10V	Vgs (Max)	4.5V, 10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Séries	-
État RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	13A (Ta)
Polarisation	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	DMP3015LSSQ-13DITR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	DMP3015LSSQ-13
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	60.4nC @ 10V	type de IGBT	±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	2V @ 250µA	Fonction FET	P-Channel
Description élargie	P-Channel 30V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO	Tension drain-source (Vdss)	-
La description	MOSFET P-CH 30V 13A 8-SO	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	30V
Ratio de capacité	2.5W (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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