FDMS86105

Fairchild/ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDMS86105
Fabricant / marque:	Fairchild/ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 100V POWER56
Livret des spécifications:	FDMS86105.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	55239 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 55239 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.601

10 pcs: $0.538

100 pcs: $0.419

500 pcs: $0.346

1000 pcs: $0.273

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Spécifications de FDMS86105

Modèle de produit	FDMS86105	Fabricant	Fairchild/ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 100V POWER56	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	55239 pcs	Fiche technique	FDMS86105.pdf
Tension - Test	645pF @ 50V	Tension - Ventilation	8-PQFN (5x6), Power56
Vgs (th) (Max) @ Id	34 mOhm @ 6A, 10V	Vgs (Max)	6V, 10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Séries	PowerTrench®
État RoHS	Digi-Reel®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6A (Ta), 26A (Tc)
Polarisation	8-PowerTDFN	Autres noms	FDMS86105DKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	FDMS86105
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	11nC @ 10V	type de IGBT	±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 250µA	Fonction FET	N-Channel
Description élargie	N-Channel 100V 6A (Ta), 26A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56	Tension drain-source (Vdss)	-
La description	MOSFET N-CH 100V POWER56	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	100V
Ratio de capacité	2.5W (Ta), 48W (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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