FDMS86350ET80

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDMS86350ET80
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Livret des spécifications:	FDMS86350ET80.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	48402 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 48402 pcs

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Spécifications de FDMS86350ET80

Modèle de produit	FDMS86350ET80	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 80V 80A POWER56	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	48402 pcs	Fiche technique	FDMS86350ET80.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	Power56
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3.3W (Ta), 187W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerTDFN	Autres noms	FDMS86350ET80TR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8030pF @ 40V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	155nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	8V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	80V
Description détaillée	N-Channel 80V 25A (Ta), 198A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount Power56	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	25A (Ta), 198A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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