Modèle de produit | IDH05G65C5XKSA1 | Fabricant | Infineon Technologies |
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La description | DIODE SCHOTTKY 650V 5A TO220-2 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Quantité disponible | 29371 pcs | Fiche technique | IDH05G65C5XKSA1.pdf |
Tension - Inverse de crête (max) | Silicon Carbide Schottky | Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 5A (DC) |
Tension - Ventilation | PG-TO220-2 | Séries | thinQ!™ |
État RoHS | Tube | Temps de recouvrement inverse (trr) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Résistance @ Si, F | 160pF @ 1V, 1MHz | Polarisation | TO-220-2 |
Autres noms | IDH05G65C5 IDH05G65C5-ND SP000925200 |
Température d'utilisation - Jonction | 0ns |
Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | IDH05G65C5XKSA1 | Description élargie | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
Configuration diode | 170µA @ 650V | La description | DIODE SCHOTTKY 650V 5A TO220-2 |
Courant - fuite, inverse à Vr | 1.7V @ 5A | Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 650V |
Capacité à Vr, F | -55°C ~ 175°C |
FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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