1N4002

ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	1N4002
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	DIODE GEN PURP 100V 1A DO41
Livret des spécifications:	1N4002.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	5848 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5848 pcs

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Spécifications de 1N4002

Modèle de produit	1N4002	Fabricant	ON Semiconductor
La description	DIODE GEN PURP 100V 1A DO41	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	5848 pcs	Fiche technique	1N4002.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1A
Tension - Ventilation	DO-41	Séries	-
État RoHS	Bulk	Temps de recouvrement inverse (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	DO-204AL, DO-41, Axial
Autres noms	1N4002OS	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	1N4002
Description élargie	Diode Standard 100V 1A Through Hole DO-41	Configuration diode	10µA @ 100V
La description	DIODE GEN PURP 100V 1A DO41	Courant - fuite, inverse à Vr	1.1V @ 1A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	100V	Capacité à Vr, F	-65°C ~ 175°C

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Après vente
Livret des spécifications

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