1N4152_T50R

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	1N4152_T50R
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4918 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4918 pcs

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Spécifications de 1N4152_T50R

Modèle de produit	1N4152_T50R	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4918 pcs	Fiche technique
Tension - directe (Vf) (max) @ Si	880mV @ 20mA	Tension - inverse (Vr) (max)	40V
Package composant fournisseur	DO-35	La vitesse	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	4ns
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	DO-204AH, DO-35, Axial
Température d'utilisation - Jonction	175°C (Max)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type de diode	Standard	Description détaillée	Diode Standard 40V 200mA Through Hole DO-35
Courant - fuite, inverse à Vr	50nA @ 30V	Courant - Rectifié moyenne (Io)	200mA
Capacité à Vr, F	2pF @ 0V, 1MHz	Numéro de pièce de base	1N4152

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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