2N3962

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2N3962
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	PNP LL LN AMP TRANSISTOR
Livret des spécifications:	2N3962.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	4180 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4180 pcs

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Spécifications de 2N3962

Modèle de produit	2N3962	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	PNP LL LN AMP TRANSISTOR	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	4180 pcs	Fiche technique	2N3962.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	60V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA
Transistor Type	PNP	Package composant fournisseur	TO-18
Séries	-	Puissance - Max	360mW
Emballage	Bulk	Package / Boîte	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Température de fonctionnement	-	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition	-	Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 200mA 360mW Through Hole TO-18
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 1mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	10nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)	200mA	Numéro de pièce de base	2N3962

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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