2N5306

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2N5306
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO-92
Livret des spécifications:	2N5306.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5341 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5341 pcs

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Spécifications de 2N5306

Modèle de produit	2N5306	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO-92	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5341 pcs	Fiche technique	2N5306.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	25V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.4V @ 200µA, 200mA
Transistor Type	NPN - Darlington	Package composant fournisseur	TO-92-3
Séries	-	Puissance - Max	625mW
Emballage	Bulk	Package / Boîte	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	-	Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 25V 1.2A 625mW Through Hole TO-92-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	7000 @ 2mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)	1.2A	Numéro de pièce de base	2N5306

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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