2N5657G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2N5657G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN 350V 0.5A TO225AA
Livret des spécifications:	2N5657G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	136535 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 136535 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.218

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Spécifications de 2N5657G

Modèle de produit	2N5657G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN 350V 0.5A TO225AA	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	136535 pcs	Fiche technique	2N5657G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	350V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	10V @ 100mA, 500mA
Transistor Type	NPN	Package composant fournisseur	TO-225AA
Séries	-	Puissance - Max	20W
Emballage	Bulk	Package / Boîte	TO-225AA, TO-126-3
Autres noms	2N5657GOS	Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	10MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 500mA 10MHz 20W Through Hole TO-225AA	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 100mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100µA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	500mA
Numéro de pièce de base	2N5657

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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