2SD1815T-E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2SD1815T-E
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN 100V 3A TP
Livret des spécifications:	2SD1815T-E.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	232351 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 232351 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de 2SD1815T-E

Modèle de produit	2SD1815T-E	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN 100V 3A TP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	232351 pcs	Fiche technique	2SD1815T-E.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	100V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 150mA, 1.5A
Transistor Type	NPN	Package composant fournisseur	TP
Séries	-	Puissance - Max	1W
Emballage	Bulk	Package / Boîte	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	180MHz	Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 180MHz 1W Through Hole TP
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 500mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	1µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)	3A	Numéro de pièce de base	2SD1815

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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